第19章-半导体工厂施工组织设计.doc

名称:第19章-半导体工厂施工组织设计.doc
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19.1.1 工程简介
本项目工程名称为××半导体有限公司第2.5代TFT生产线新建工程。其中主厂房为三层结构,中间区域为生产用洁净厂房,两侧为辅助区域,结构形式为框架结构。其他厂房还包括造排水栋、动力栋和其他辅助建筑。
本项目工期要求为××年×月×日具备工艺设备搬入条件。工作量大,工期紧张且工作强度相对较大,项目材料和设备要求较高,对项目承包商的能力和施工策划提出较高的要求。
xx半导体有限公司是香港xx国际控股有限公司的全资子公司,成立于19xx年,在中国广东省注册,注册资金为xxxx万美元。公司总部设在香港,生产基地位于中国广东省xx市。在国内有70%的产品销售权。是一家知名的电子产品、半导体产品开发、生产和销售的香港上市公司。
TFT面板项目由xx半导体有限公司投资,投资总额约x亿美金。建厂费用占总投资额的14.5%,约人民币x.x亿元。本项目产品为第2.5代TFT-LCD面板,由阵列和成盒两道工序组成,基板玻璃尺寸为550毫米×650毫米,月投片量为xxK,主要产品为手机使用的彩色TFT显示屏。
本项目位于广东省xx市xx工业园区内,北临xx路,南靠工业大道,用地面积为14万多m2 。本项目主要由生产主厂房、动力站、纯水站、大宗气体站、废水站、特殊药品仓库等组成。其中主厂房洁净面积共一万两千平方米,洁净级别主要为十级、百级和千级。
19.1.2产品的工作原理及工艺流程:
(1)产品工作原理
液晶显示屏是透过硅玻璃上的电路形成电场,来驱动玻璃与滤光片间的液晶分子,在自然状态下呈并列平行排列,当电路对液晶层施加电场,液晶分子会朝不同的方向偏转,这时液晶类似于开关作用可以让光线通过,令液晶层形成不同的透光效果,从而达到显示不同画面的目的。
(2)工艺流程:
阵列工艺流程:玻璃基板投入→基板清洗→栅极金属溅射→栅极光刻→n+α-硅/α-硅/氮化硅层淀积→α-硅光刻→ITO膜溅射→ITO膜光刻→源/漏级金属溅射→源/漏级金属光刻→n+α-硅反刻→氮化硅淀积→绝缘层刻蚀→退火→检查
成盒工艺流程:投入阵列和滤光玻璃基板→配向膜印刷→框胶图敷、垫料→滴入液晶→真空贴合→盒分割→贴偏光片→检查
19.1.3工程特点及主要工程量:
(1)工程特点:该工程机电系统复杂,净化厂房面积为1万二千平方米,净化级别分别为十级、百级和千级,动力系统包括大宗气体、特种气体、工艺冷却水、工艺真空、化学品等项目,生产厂房主体为框架结构,屋顶采用大跨度钢屋架结构。主体结构二层,一层为设备工艺系统、一般排风和酸碱排风等,专业复杂,施工难度大。下夹层,主要由生产车间工艺下夹层和辅助用房组成,二层为工作层,主要由生产车间、办公室等管理用房组成。工程对抗微震的要求很高。
(2)该工程的主要工程量:本项目的主要建筑由生产主厂房、动力站房、纯水站房、废水处理厂房、开关站及气体库房等组成。工程占地面积约14万多平方米,总建筑面积约为5万多平方米。
(3)本工程土建部分包括:结构、建筑和钢结构部分组成。
(4)机电部分包括:洁净室内装、洁净室空调系统、工艺排风系统、冷冻水系统、热水锅炉系统、工艺冷却水系统、纯水系统、废水系统、压缩空气系统、氮气系统、氧气系统、特气系统、消防喷淋和消火栓系统、低压变配电站、工艺设备配电、照明、弱电自控、火灾报警系统等。
(5)洁净室内装工程包括:
 厂房火灾危险性为丙类,防火等级为2级,抗振烈度为7级。
 生产厂房内隔墙: (彩色金属夹心板)17000平米;
 生产厂房吊顶: (彩色金属夹心板)12000平米;
 环氧地面:14000平米;
 架空活动防静电地板:12000平米;
 架空地板用工字钢(规格***×**×*×**t):42000米;
 各种风淋室:15个;
(6)电气工程包括:
 各种电压等级变压器: 9台(25000KVA,其中UPS:5000KVA);
 各种配电柜: 156台;
 各类灯具:7300套;
 各种电气桥架:15000米;
 各种电线、电缆:共543000米;
(7)机械工程包括:
 厂房内的新风设计总风量为150000CHM,由四台(三用一备)新风机组集中供给;
 自循环风机(DCFU):108台;
 高效过滤风机单元(FFU):3020台;
 一般排气系统设计排风量60000CHM,由四台(三用一备)离心式排风机;
 燃油蒸汽锅炉:3台;
 水源热泵:2台;
 离心式冷冻机:4台;
 各种水泵:65台(不含纯水、排风、废水、药液等非我公司范围);
 各种管道:187600米;
 镀锌铁皮:4800平米;
(8)钢结构工程及土建工程:
 钢屋面总计:3921T;
 混凝土:10255立米;
 钢筋:2103T

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